德国威世Vishay晶闸管模块

德国威世Vishay晶闸管模块

Vishay 的高压 MOSFET 模块是一系列额定电压为 100 V 或 500 V 的器件，可提供全桥或单开关配置。

Vishay功率模块，钝化组装电路元件，25 A

特征

• 玻璃钝化结提高了可靠性

• 电隔离底板

• 最高可达 1200 VRRM/VDRM

• 高动态特性

• 广泛的电路配置选择

• 简化的机械设计和装配

• UL E78996 认证

• 材料分类：用于定义合规性

描述

Vishay VS-P100系列集成功率电路由配置在单个封装中的功率晶闸管和功率二极管组成。采用隔离底板，大大简化了机械设计，具有降低成本和减小尺寸的优点。

应用包括电源、控制电路和电池充电器。

型号

VS-P101、VS-P121、VS-P131

VS-P102、VS-P122、VS-P132

VS-P103、VS-P123、VS-P133

VS-P103、VS-P124、VS-P134

VS-P105、VS-P125、VS-P135

Vishay EMIPAK 1B PressFit 电源模块800 V 半控单相桥，20 A 600 V PFC 和半桥 MOSFET，40 A

特征

• 带快速体二极管的 E 系列功率 MOSFET

• MOAT 和 SiC 二极管技术

• 晶闸管相位控制

• 外露Al2O3 基板，热阻低

• 低输入电容

• 低开关和传导损耗

• 超低栅极电荷 Qg

• 低内部电感

• 使用 AQG324 指南作为参考合格

• PressFit 销锁定技术

• 材料分类：用于定义合规性

描述

得益于 PressFit 引脚，EMIPAK 1B 封装易于使用。 暴露的衬底提供了改进的热性能。

优化的布局还有助于最大限度地减少杂散参数，从而实现更好的 EMI 性能。

主要特征

半控单相桥

TSINK 时的 IO = 115 °C 20 A

D1, D2

VRRM 800 伏

20 A 1.10 V 时的 VFM 典型值

可控硅1、可控硅2

VRRM/VDRM 800 伏

VTM 典型值 20 A 1.29 V

QB1 - QB2 - QB3 MOSFET

VDSS 600 伏

RDS(on) 典型值，IC = 40 A 37 mΩ

TSINK 时的 ID = 39 °C 40 A

D3 碳化硅钳位二极管

VRRM 600 伏

VFM 典型值 30 A 1.72 V

IF 在 TSINK = 46 °C 30 A

封装 EMIPAK 1B电路 半控单相桥、PFC、半桥

型号：

VS-ENM040M60P

VS-ENY050C60

VS-ETY020P120F

VS-FA40SA50LC

VS-FC270SA20

VS-FC420SA10

VS-FC420SA15

VS-FC80NA20

德国威世Vishay晶闸管模块