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德威世Vishay薄膜电容器BRCPVishay 的薄膜电容器包括可引线键合的单值、二元和条形 MOS 以及表面贴装射频电容器。
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德威世Vishay薄膜电容器BRCP
Vishay 的薄膜电容器包括可引线键合的单值、二元和条形 MOS 以及表面贴装射频电容器。
Vishay 薄膜条形 MOS 电容器
产品可能不按比例制作 条形电容器是种 MOS 电容器,为需要超高额定功率和微型外壳尺寸的混合组件而设计。
特征
• 坚固的 MOS 结构
• 允许多个引线键合。在低值时,案例 A 将接受 7 个债券,案例 B 将接受 15 个债券。
• 低D,高Q
• 的负载寿命稳定性
应用
• 混合组件
• 低通 LC、RC 或 LRC 集总滤波器
• DC 馈电的射频阻塞
• 阻抗匹配
• SiC 或 GaN 高频/大功率应用
笔记
(1) 见表“外壳尺寸值和公差"。
WV (DC) 值和公差
电容器型号 A B 单元
外壳尺寸 1204 2404
电容值 5 50 10 100 pF
公差 5 5 %
直流工作电压 100 100 V
标准电气规格
参数值单位
电容范围 5 100 pF
容差,1 kHz (1) 低 ± 5 %
TCC,-55 ° 125 °C ± 50 ppm/°C
工作温度范围 -55 +150 °C
工作电压 100 大。五
耗散因数,1 MHz 0.01 大值。
值稳定性,1 kHz,1000 h,70 °C,100 VDC ± 0.25 %
短时过载,2 x 额定电压,25 °C,5 s ± 0.25 %
热冲击,MIL-STD-202,方法 107 F ± 0.25 %
防潮性,MIL-STD-202,方法 106* ± 0.25 %
高温暴露,100 小时,150 °C ± 0.25 %
低温运行,-65 °C,45 分钟,100 VDC ± 0.25 %
型号:
B R C P A 1 0 0 0BK G C S T
C B A 3 7 5 0 CM A H W S
N C A A 4 7 0 0 C MAH K W S
C B B 3 1 0 0BL G K W S
Vishay 薄膜二进制 MOS 电容器
产品可能无法按比例缩放
每个 CBA MOS 电容器芯片都包含四个不同的二进制增量电容器,允许用户在值选择中进行多种选择。有两种版本的 CBA 电容器可供选择:种总电容为 3.75 pF,另种总电容为 15 pF。
这些芯片采用 Vishay Electro-Films (EFI) 精密的薄膜设备和制造技术制造。 CBA 经过 100 的电气测试和目视检查,符合 MIL-STD-883 标准。
特征
• 可焊线
• 用户值选择
• 四个共同连接的电容器
• 电容范围:0.25 pF 15 pF(二进制)
增量
• 电介质:二氧化硅
• 芯片尺寸:0.019" x 0.030"
• 基材:带金背衬的硅
• 材料分类:关于合规性的定义
应用
Vishay EFI CBA 二进制 MOS 多值电容器芯片为需要修整微波电路的混合封装而设计。这是在 CBA 芯片上通过传统技术为所需电容和引线键合选择键合焊盘来完成的。
Vishay 薄膜单值芯片和线电容器
与厚膜电容相比,NC系列薄膜电容具有更高性能和更小尺寸的优势。这些芯片的尺寸小 20 百万平方,电容高达 1000 pF。
零件需要环氧树脂或共晶芯片连接到基板和个引线键合。
这些芯片采用 Vishay Electro-Films (EFI) 精密的薄膜设备和制造技术制造。 NC 经 1% 电气测试和目视检查,符合 MIL-STD-883 标准。
特征
• 可焊线
• 小尺寸:0.020 英寸见方 0.060 英寸
正方形
• 基材:带有金背衬的硅
• 电介质:二氧化硅/氮化硅
• 电容范围:0.5 pF 1000 pF
• 材料分类:
应用
Vishay NC 系列电容器芯片设计用于使用传统引线键合技术组装在混合电路中。它们提供的稳定性和性能,而且它们的小尺寸为混合设计者提供了更大的布局灵活性。它们可用作 MNOS 或 MOS 电容器。当需要低介电吸收时,MOS 版本。
德威世Vishay薄膜电容器BRCP
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